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宣布时间：2024-11-08 17:12:36阅读量：
广东省政府宣布的《广东省加快推动光芯片工业创新生长行动方案(2024—2030年)》旨在推动光芯片工业的快速生长，目标是到2030年在光芯片领域取得要害技术突破，打造拳头产物，培育领军企业，建设创新平台，形成新的千亿级工业集群，并建设成为具有全球影响力的光芯片工业创新高地。
突破要害技术：强化光芯片基础研究和原始创新，加大研发投入，解决工业链中的技术瓶颈。
加快中试转化：建设看法验证中心、研发先导线和中试线，支持科技结果转化，提供原型制造和质量性能检测等服务。
建设创新平台体系：结构共性技术研发平台，培育专业化平台，打造公共服务平台，推动工业集聚生长。
培育领军企业：引进领军企业和新物种企业，支持企业并购整合，孵化科技型初创企业。
加强合作协同创新：对接国家集成电路战略，加强与港澳及国内其他地域的协同创新。
强化组织领导：由省半导体及集成电路工业生长领导小组统筹推进，整合资源，协调整决重大问题。
加大资金支持：统筹专项资金，发挥省基金及地市投资基金的引导作用，勉励社会资本支持工业生长。
强化试点示范：吸引国内外龙头企业投资，建立项目投资决策和快速落地联动响应机制，开展应用场景试点示范。
强化资源保障：引进光芯片领域人才，完善教学资源和实践平台，加快培养创新型人才。
通过这些措施，广东省将提升光芯片工业的创新能力和核心竞争力，为打造新的千亿级工业集群奠基基础。
本文链接：/industrynews/info.aspx?itemid=1646
文章来源：激光制造网
